伴隨著中國半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大，技術(shù)水平不斷提升，在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中，半導(dǎo)體芯片失效分析也面臨著新的挑戰(zhàn)。
尤其，在先進(jìn)封裝應(yīng)用中，復(fù)雜的互連方案和性能更高的功率器件的迅速增長，帶來了前所未有的失效定位和分析挑戰(zhàn)。
因而，在失效分析領(lǐng)域，電性失效定位一直扮演著行業(yè)“醫(yī)生”這樣重要的角色。
賽默飛世爾科技作為科學(xué)服務(wù)領(lǐng)域的世界領(lǐng)導(dǎo)者，為解決芯片等失效定位及分析問題，賽默飛開發(fā)的鎖相熱成像設(shè)備，極大的滿足了市場的需求。
鎖相熱成像的概念、作用
鎖相熱成像（Lock-in Thermography）
LIT是動態(tài)紅外熱成像的一種形式，與穩(wěn)態(tài)熱成像相比，它具有更好的信噪比，更高的靈敏度和更高的空間分辨率。此次網(wǎng)絡(luò)研討會將重點(diǎn)討論鎖相熱成像（Lock-in Thermography）與傳統(tǒng)靜態(tài)失效定位（光子輻射EMMI、激光掃描（OBRICH）的原理和區(qū)別，以及LIT在芯片封裝、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢。
LIT可用于IC分析中，定位線路短路，ESD缺陷，氧化層損壞，晶體管缺陷以及器件閂鎖等失效。LIT在自然環(huán)境中進(jìn)行，不需要遮光箱。
鎖相熱輻射失效定位通過對失效回路電性進(jìn)行頻率調(diào)制，結(jié)合高靈敏度InSb紅外相機(jī)，從而實(shí)現(xiàn)快速準(zhǔn)確地對失效點(diǎn)進(jìn)行定位，提高后續(xù)的物性分析成功率以及為工藝問題澄清奠定了基礎(chǔ)。該技術(shù)廣泛應(yīng)用于芯片生產(chǎn)、封裝測試、PCBA等上下游產(chǎn)品的電性失效分析，可應(yīng)用失效類型通常包括線路短路、器件漏電、ESD損傷、電阻性開路等。
賽默飛ELITE System鎖相紅外熱成像系統(tǒng)，通過增強(qiáng)型鎖相熱成像技術(shù)準(zhǔn)確定位到各種不同的缺陷位置，如：
? 晶圓缺陷
? 封裝缺陷
? PCB電路板缺陷
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